离子源拆卸(离子源如何清洗)

离子源拆卸

离子源是使中性原子或分子电离，并从中引出离子束流的装置。它是 一种流强大产额高的离子源各种类型的离子加速器、质谱仪、电磁同位素分离器、离子注入机、离子束刻蚀装置、离子推进器以及受控聚变装置中的中性束注入器等设备的不可缺少的部件。 　　气体放电、电子束对气体原子(或分子)的碰撞，带电粒子束使工作物质溅射以及表面电离过程都能产生离子，并被引出成束。根据不同的使用条件和用途，目前已研制出多种类型的离子源。使用较广泛的有弧放电离子源、PIG离子源、双等离子体离子源和双彭源这些源都是以气体放电过程为基础的,常被笼统地称为弧源高频离子源则是由气体中的高频放电来产生离子的，也有广泛的用途。新型重离子源的出现，使重离子的电荷态显著提高,其中较成熟的有电子回旋共振离子源[1](ECR)和电子束离子源(EBIS)。负离子源性能较好的有转荷型和溅射型两种。在一定条件下，基于气体放电过程的各种离子源，都能提供一定的负离子束流。

离子源如何清洗

湿法清洗

  湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、IMEC清洗法、单晶片清洗等.

2RCA清洗法

  最初，人们使用的清洗方法没有可依据的标准和系统化。1965年，RCA（美国无线电公司）研发了用于硅晶圆清洗的RCA清洗法，并将其应用于RCA元件制作上。该清洗法成为以后多种前后道清洗工艺流程的基础，以后大多数工厂中使用的清洗工艺基本是基于最初的RCA清洗法。

  RCA清洗法依靠溶剂、酸、表面活性剂和水，在不破坏晶圆表面特征的情况下通过喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。在每次使用化学品后都要在超纯水（UPW）中彻底清洗。

离子源原理

EI源的原理：其主要的工作原理是灯丝发射电子，经聚焦并在磁场作用下穿过离子化室到达收集极。此时进入离子化室的样品分子在一定能量电子的作用下发生电离，离子被聚焦、加速聚焦成离子束进入质谱分析器。 CI源的原理：由电离室（离子盒）、灯丝、离子聚焦透镜和一对磁极组成。 EI源和CI源应用上的区别： 主要区别是CI源离子化室的气密性比EI源好，以保证通入离子源的反应时间有足够压力。 EI源是非选择性电离，只要样品能气化都能够离子化；离子化效率高，灵敏度高；EI谱提供丰富的结构信息，是化合物的“指纹谱”；有庞大的标准谱库供检索，谱图是在70eV条件下获得的，谱图重复性好，被称作经典的EI谱（是指谱图中同位素峰的比例能反映构成该离子的天然同位素丰度分布规律。 CI源不仅是获得分子量信息的重要手段，还可通过控制反应，根据离子亲和力和电负性选择不同的反应试剂，用于不同化合物的选择性检测。

离子源ci

MS为Mass Spectroscopy的缩写，是质谱的含义，质谱是分子质量精确测定与化合物结构分析的重要工具。

质谱仪分为进样系统、离子源、质量分析器和检测器四部分。

其中，离子源又分为电子轰击源（Electron Ionization，EI）、化学电离源（Chemical Ionization，CI）、场致电离源（FI）和电喷雾电离源（Electro Spray Ionization，ESI）等。

所以ESI-MS是电喷雾质谱（Electro Spray Ionization-Mass Spectroscopy)的简称

更换离子源

离子源对质谱灵敏度的影响是非常大的，保持离子源的干净不但有利于检测结果的准确性，而且也会减少了后续的很多维护工作。

离子源故障

1、霍尔离子源与考夫曼离子源的结构区别：霍尔离子源按阴极、壳体、阳极、气管、磁场顺序组成；而考夫曼离子源按照壳体、栅极、阳极、气管、阴极、磁场顺序组成。

2、霍尔离子源与考夫曼离子源的离子浓度区别：霍尔离子源为阳极电压的65%~70%；考夫曼离子源为阳极和栅极之间的电压差。

3、霍尔离子源与考夫曼离子源的特点区别：

霍尔离子源的特点：低能大束流，能流密度较大，发射角也较大，适合较大面积的生产使用，使用成本低，适合大规模生产使用；

考夫曼离子源的特点：高能低束流，能流密度较低，出射角度较小，适合于镀制较小面积的光学器件，使用成本高。