如何判断三极管(如何判断二极管是锗管还是硅管)

如何判断二极管是锗管还是硅管

PNP型二极管一般是以锗管居多的。硅管有NPN的，也有PNP的，锗管有PNP的，也有NPN的。那么为什么我们平时见到的硅管以NPN的为主，而锗管则是PNP的比较多呢?主要原因是硅管和锗管的制造工艺不同。

硅管一般采用平面扩散工艺，比较有利于制造NPN型管，制造PNP相对麻烦些，而锗管因为材料性质与硅不同，比较适合合金法工艺，这种工艺相对比较适合制造PNP型管。

二极管用途

二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路。 二极管是最常用的电子元件之一，它最大的特性就是单向导电，也就是电流只可以从二极管的一个方向流过，二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路。

主要都是由二极管来构成的，其原理都很简单，正是由于二极管等元件的发明，才有我们现 在丰富多彩的电子信息世界的诞生。

万用表打到电阻档测量一下反向电阻如果很小就说明这个二极管是坏的，反向电阻如果很大这就说明这个二极管是好的。对于这样的基础元件我们应牢牢掌握住他的作用原理以及基本电路，这样才能为以后的电子技术学习打下良好的基础。

二极管功能

二极管的作用是单向导电启辉器的作用是瞬间产生高压

电子二极管

1、电阻：代表符号：R

2、电容：代表符号：C

3、电感：L

4、IC：U

5、二极管：D

6、三极管：Q

7、开关：SW

8、铝电容：C铝

9、钽电容：C钽

电路图有两种，一种是说明模拟电子电路工作原理的。它用各种图形符号表示电阻器、电容器、开关、晶体管等实物，用线条把元器件和单元电路按工作原理的关系连接起来。这种图长期以来就一直被叫做电路图。

另一种是说明数字电子电路工作原理的。它用各种图形符号表示门、触发器和各种逻辑部件，用线条把它们按逻辑关系连接起来，它是用来说明各个逻辑单元之间的逻辑关系和整机的逻辑功能的。

为了和模拟电路的电路图区别开来，就把这种图叫做逻辑电路图，简称逻辑图。除了这两种图外，常用的还有方框图。它用一个框表示电路的一部分，它能简洁明了地说明电路各部分的关系和整机的工作原理。

二极管的主要特性就是

1、二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。

2、它有整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等作用。

半导体二极管又称晶体二极管，简称二极管。

二极管由一个PN结，两条电极引线和管壳构成。在PN结的两侧用导线引出加以封装，就是二极管。

二极管的用途

二极管常被用在整流电路中。二极管除单向导电特性外，还有许多特性，很多的电路中并不是利用单向导电特性就能分析二极管所构成电路的工作原理，而需要掌握二极管更多的特性才能正确分析这些电路，例如二极管构成的简易直流稳压电路，二极管构成的温度补偿电路等。

二极管可以简单组成简易的稳压电路；

二极管可以在电路中起到温度补偿的作用；

二极管在电路中的限幅作用；

二极管在电路中的保护作用。

二极管的型号

这得看你要多大的电流，整流用的二极管种类好多，有普通型1N4000系列的有1N4007电流1A； 你要确定好一些必要的参数才能选定型号。

5408二极管

不是in5408,而是1N5408,属于大功率整流二极管,最大反向耐压1000V,最大整流电流3A,1000V时最大反向漏电电流5μA(标准温度下)。 考虑安全系数,可用于380V,2A的整流电路中。

二极管种类

二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。

根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。

按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

1、锗二极管正向在0.1V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，就是开始导通时的电压不同，锗管小，硅管大；

2、开始导通后，锗管电流增大得慢，硅管电流增大得快。锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻；但是硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。

在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，使二极管能够导通的正向最低电压。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。

晶体二极管的作用

二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象