igbt与mos管区别(igbt和mos管的优缺点)

igbt和mos管的优缺点

IGBT 绝大多数是TO-3P封装，要大一些。MOS管 大部分为TO220封装要小一些。

mos管与igbt的区别

MOSFET和IGBT内部结构不同，

决定了其应用领域的不同。

1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大，可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。

2. IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ，那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛，MOSFET可以工作到几百KHZ，上MHZ，以至几十MHZ，射频领域的产品。

3. 就其应用，根据其特点：MOSFET应用于开关电源，镇流器,高频感应加热,高频逆变焊机，通信电源等等高频电源领域。IGBT集中应用于焊机、逆变器,变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域 。

mos管和igbt区别

逆变焊机用V-MOS优点：具有开关速度快，驱动功率小的优点，缺点：但其导通电压降稍大，电流，电压容量不大双极型晶体管与其刚好相反，于是就出现了IGBT.可见IGBT具有晶体管和MOS两者的优点

mos管和igbt的区别

普通开关管有三极管，MOS管，它们都是单一的晶体管，性能单一。

igbt是有MOS管和三极管的复合管，兼有两种管子的功能，起到输入输出的隔离作用，实现了压控流的作用，同时也具有mos管的高频特性。

igbt和mos管能互换吗

可以

MOS管和IGBT都可以整流，通常MOS管耐压比IGBT低，所以，通常IGBT用在电压较高的电路，MOS管用在电压较低的电路，MOS管内阻很小，所以尤其低电压整流很占优势，功耗更小。

因为mos管和IGBT都是电压型器件，用晶闸管是电流型整流，在感性负载输出端会出现负电压。为什么整流电路都是晶闸管，而逆变电路都是mos管因为mos管和IGBT都是电压型器件，用晶闸管是电流型整流，在感性负载。

igbt和mos管怎么区分

IGBT绝缘栅极晶体管，属于更成熟的第四代逆变技术。

相比落后的MOS-FET场效应管第三代逆变，焊机零部件更少，故障率更低。

igbt和mos的区别

场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。

MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。

MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用。

IGBT的电路符号至今并未统一，画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号，这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。

同时还要注意IGBT有没有体二极管，图上没有标出并不表示一定没有，除非官方资料有特别说明，否则这个二极管都是存在的。

IGBT内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。

判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难，可以用万用表测量IGBT的C极和E极，如果IGBT是好的，C、E两极测得电阻值无穷大，则说明IGBT没有体二极管。

IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

igbt与mosfet的优缺点

【IGBT与逆变器的关系】IGBT只是用在逆变器中的功率器件，配合逆变器完成把直流电能转变成交流电的功能。

【逆变器】是把直流电能（电池、蓄电瓶）转变成交流电（一般为220V,50Hz正弦波）的电子器件。它由逆变桥、控制逻辑和滤波电路组成。

【IGBT】是Insulated Gate Bipolar Transistor的简称，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

igbt与mos管的优缺点

主要看你的功率和开关频率啊如果是低频（小于20KHz），大功率用IGBT，小功率用MOS如果是高频（高于20KHz），只能用MOS了，IGBT工作频率不能很高。当然现在已经有高频IGBT了。